Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    High temperature stable metallization schemes for SiC-technology operating in air

    Neue Suche nach: Gottfried, K.
    Neue Suche nach: Kriz, J.
    Neue Suche nach: Leibelt, J.
    Neue Suche nach: Kaufmann, C.
    Neue Suche nach: Golecki, I.
    Neue Suche nach: Engineering Foundation

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    High temperature stable metallization schemes for SiC-technology operating in air

    Neue Suche nach: Gottfried, K.
    Neue Suche nach: Kriz, J.
    Neue Suche nach: Leibelt, J.
    Neue Suche nach: Kaufmann, C.
    Neue Suche nach: Golecki, I.
    Neue Suche nach: Engineering Foundation

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    High temperature stable metallization schemes for SiC-technology operating in air

    Neue Suche nach: Gottfried, K.
    Neue Suche nach: Kriz, J.
    Neue Suche nach: Leibelt, J.
    Neue Suche nach: Kaufmann, C.
    Neue Suche nach: Golecki, I.
    Neue Suche nach: Engineering Foundation

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    High temperature stable metallization schemes for SiC-technology operating in air

    Beteiligte:

    Gottfried, K. (Autor:in) / Kriz, J. (Autor:in) / Leibelt, J. (Autor:in) / Kaufmann, C. (Autor:in) / Golecki, I. / Engineering Foundation

    Kongress:

    High-temperature electronic materials, devices and sensors conference ; 1998 ; San Diego; CA

    Erschienen in:

    High-temperature electronic materials, devices and sensors conference ; 153-158

    HIGH TEMPERATURE ELECTRONIC DEVICES AND SENSORS CONFERENCE

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    6 pages

    Anmerkungen:

    IEEE cat no 98EX132

    ISBN:

    0780347375 , 0780344383

    Medientyp:

    Aufsatz (Konferenz)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Schlagwörter:

    high temperature electronic materials , electronic materials

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    A High Temperature Stable Metallization Scheme for SiC-Technology Operating at 400C in Air

    Gottfried, K. / Fritsche, H. / Kriz, J. et al. | British Library Online Contents | 1998

    Metallization schemes for dielectric thin film capacitors

    Al-Shareef, H. N. / Dimos, D. / Tuttle, B. A. et al. | British Library Online Contents | 1997

    Tungsten metallization technology for high temperature silicon-on-insulator devices

    Chen, J. / Colinge, J.-P. | British Library Online Contents | 1995

    New High Technology for Chemical Vapour Metallization

    British Library Online Contents | 1999

    Advanced multilevel metallization technology

    Ohba, T. | British Library Online Contents | 1996

    Nach oben