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Tungsten metallization technology for high temperature silicon-on-insulator devices

Chen, J. / Colinge, J.-P.

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Titel:

Tungsten metallization technology for high temperature silicon-on-insulator devices

Beteiligte:

Chen, J. (Autor:in) / Colinge, J.-P. (Autor:in) / Fricke, K. / Krozer, V.

Erschienen in:

High Temperature Electronics: Materials Devices Applications ; 18

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 29

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

18 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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