Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Analysis of buried oxide layer formation and mechanism of threading dislocation generation in the substoichiometric oxygen dose region

    Neue Suche nach: Nakashima, S.
    Neue Suche nach: Izumi, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Analysis of buried oxide layer formation and mechanism of threading dislocation generation in the substoichiometric oxygen dose region

    Neue Suche nach: Nakashima, S.
    Neue Suche nach: Izumi, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Analysis of buried oxide layer formation and mechanism of threading dislocation generation in the substoichiometric oxygen dose region

    Neue Suche nach: Nakashima, S.
    Neue Suche nach: Izumi, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Analysis of buried oxide layer formation and mechanism of threading dislocation generation in the substoichiometric oxygen dose region

    Beteiligte:

    Nakashima, S. (Autor:in) / Izumi, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 8 ; 523

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    523 pages

    ISSN:

    0884-2914

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Misfit Dislocation Generation from Dissociated Threading Dislocations in Strained-Layer Heterostructures

    Zou, J. / Cockayne, D. J. H. | British Library Online Contents | 1995

    Buried-oxide layer formation by high-dose oxygen-ion implantation into Si wafers: SIMOX (separation by implanted oxygen)

    Kajiyama, K. | British Library Online Contents | 1995

    Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth

    Ujihara, T. / Kozawa, S. / Seki, K. et al. | British Library Online Contents | 2012

    Evaluation of buried oxide formation in low-dose SIMOX process

    Ogura, A. / Ono, H. | British Library Online Contents | 2000

    Features of buried dielectric layers: ion beam synthesis in silicon by a high temperature sequential oxygen and nitrogen implantation with substoichiometric doses

    Charnyi, L. A. / Danilin, A. B. / Drakin, K. A. et al. | British Library Online Contents | 1992

    Nach oben