p-Dopant incorporation and influence on gain and damping behaviour in high-speed GaAs-based strained MQW lasers: Fid-Bau Portal

p-Dopant incorporation and influence on gain and damping behaviour in high-speed GaAs-based strained MQW lasers

Ralston, J. D. / Weisser, S. / Esquivias, I. / Schoenfelder, A.

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Titel:

p-Dopant incorporation and influence on gain and damping behaviour in high-speed GaAs-based strained MQW lasers

Beteiligte:

Ralston, J. D. (Autor:in) / Weisser, S. (Autor:in) / Esquivias, I. (Autor:in) / Schoenfelder, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 21 ; 232

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

232 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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