Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering: Fid-Bau Portal

Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering

Lee, M. H. / Chang, S. T. / Lee, S. W. / Chen, P. S. / Shen, K. W. / Wang, W. C.

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Titel:

Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering

Beteiligte:

Lee, M. H. (Autor:in) / Chang, S. T. (Autor:in) / Lee, S. W. (Autor:in) / Chen, P. S. (Autor:in) / Shen, K. W. (Autor:in) / Wang, W. C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6147-6150

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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