Gallium vacancy related defects in silicon doped GaAs grown at low temperatures: Fid-Bau Portal

Gallium vacancy related defects in silicon doped GaAs grown at low temperatures

McQuaid, S. A. / Pritchard, R. E. / Newman, R. C. / O'Hagan, S.

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Titel:

Gallium vacancy related defects in silicon doped GaAs grown at low temperatures

Beteiligte:

McQuaid, S. A. (Autor:in) / Pritchard, R. E. (Autor:in) / Newman, R. C. (Autor:in) / O'Hagan, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 22 ; 23

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

23 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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