Amorphization of silicon by high dose germanium ion implantation with no external cooling mechanism: Fid-Bau Portal

Amorphization of silicon by high dose germanium ion implantation with no external cooling mechanism

Xia, Z. / Saarilahti, J. / Ristolainen, E. / Eraenen, S.

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Titel:

Amorphization of silicon by high dose germanium ion implantation with no external cooling mechanism

Beteiligte:

Xia, Z. (Autor:in) / Saarilahti, J. (Autor:in) / Ristolainen, E. (Autor:in) / Eraenen, S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 78 ; 321

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

321 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 621.35

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