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    Titel:

    Avoiding end-of-range dislocations in ion-implanted silicon

    Beteiligte:

    Acco, S. (Autor:in) / Custer, J. S. (Autor:in) / Saris, F. W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 34 ; 168-174

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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