Lateral composition modulation in InGaAsP deposited by gas source molecular beam epitaxy on (100)- and (h11)-oriented InP substrates: Fid-Bau Portal

Lateral composition modulation in InGaAsP deposited by gas source molecular beam epitaxy on (100)- and (h11)-oriented InP substrates

LaPierre, R. R. / Robinson, B. J. / Thompson, D. A.

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Titel:

Lateral composition modulation in InGaAsP deposited by gas source molecular beam epitaxy on (100)- and (h11)-oriented InP substrates

Beteiligte:

LaPierre, R. R. (Autor:in) / Robinson, B. J. (Autor:in) / Thompson, D. A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 90 ; 437-445

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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