Barrier-modulated GaAs/InGaAs quantum well optoelectronic switch (QWOES) prepared by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Barrier-modulated GaAs/InGaAs quantum well optoelectronic switch (QWOES) prepared by molecular beam epitaxy

Yarn, K. F. / Wang, Y. H. / Chen, M. S.

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Titel:

Barrier-modulated GaAs/InGaAs quantum well optoelectronic switch (QWOES) prepared by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Yarn, K. F. (Autor:in) / Wang, Y. H. (Autor:in) / Chen, M. S. (Autor:in) / Henini, M. / Szweda, R.

Erschienen in:

Low Dimensional Structures and Devices ; 29-33

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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