Study of the Dislocation Atmospheres in N-type GaAs by DSL Photoetching, EBIC and Microraman Measurements: Fid-Bau Portal

Study of the Dislocation Atmospheres in N-type GaAs by DSL Photoetching, EBIC and Microraman Measurements

Martin, P. / Jimenez, J. / Frigeri, C. / Weyher, J. / Sonnenberg, K.

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Titel:

Study of the Dislocation Atmospheres in N-type GaAs by DSL Photoetching, EBIC and Microraman Measurements

Beteiligte:

Martin, P. (Autor:in) / Jimenez, J. (Autor:in) / Frigeri, C. (Autor:in) / Weyher, J. (Autor:in) / Sonnenberg, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 1791-1796

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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