Atomic-Scale Studies of Point Defects in Compound Semiconductors by Scanning Tunneling Microscopy: Fid-Bau Portal

Atomic-Scale Studies of Point Defects in Compound Semiconductors by Scanning Tunneling Microscopy

Gwo, S. / Miwa, S. / Ohno, H. / Fan, J.-F. / Tokumoto, H.

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Titel:

Atomic-Scale Studies of Point Defects in Compound Semiconductors by Scanning Tunneling Microscopy

Beteiligte:

Gwo, S. (Autor:in) / Miwa, S. (Autor:in) / Ohno, H. (Autor:in) / Fan, J.-F. (Autor:in) / Tokumoto, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 1949-1954

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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