Electrical characteristics of oxygen precipitation related defects in Czochralski silicon wafers: Fid-Bau Portal

Electrical characteristics of oxygen precipitation related defects in Czochralski silicon wafers

Kirscht, F. G. / Furukawa, Y. / Seifert, W. / Schmalz, K. / Buczkowski, A. / Kim, S. B. / Abe, H. / Koya, H. / Bailey, J.

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Titel:

Electrical characteristics of oxygen precipitation related defects in Czochralski silicon wafers

Beteiligte:

Kirscht, F. G. (Autor:in) / Furukawa, Y. (Autor:in) / Seifert, W. (Autor:in) / Schmalz, K. (Autor:in) / Buczkowski, A. (Autor:in) / Kim, S. B. (Autor:in) / Abe, H. (Autor:in) / Koya, H. (Autor:in) / Bailey, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 36 ; 230-236

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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