Low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride using the environmentally friendly tris(dimethylamino)silane precursor: Fid-Bau Portal

Low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride using the environmentally friendly tris(dimethylamino)silane precursor

Levy, R. A. / Lin, X. / Grow, J. M. / Boeglin, H. J. / Shalvoy, R.

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Titel:

Low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride using the environmentally friendly tris(dimethylamino)silane precursor

Beteiligte:

Levy, R. A. (Autor:in) / Lin, X. (Autor:in) / Grow, J. M. (Autor:in) / Boeglin, H. J. (Autor:in) / Shalvoy, R. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 11 ; 1483-1488

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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