Uniaxial stress effects on a Si/Si~1~-~xGe~x double-barrier resonant tunnelling structure studied by magnetotunnelling spectroscopy: Fid-Bau Portal

Uniaxial stress effects on a Si/Si~1~-~xGe~x double-barrier resonant tunnelling structure studied by magnetotunnelling spectroscopy

Gennser, U. / Zaslavsky, A. / Gruetzmacher, D. A. / Gassot, P. / Portal, J. C.

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Titel:

Uniaxial stress effects on a Si/Si~1~-~xGe~x double-barrier resonant tunnelling structure studied by magnetotunnelling spectroscopy

Beteiligte:

Gennser, U. (Autor:in) / Zaslavsky, A. (Autor:in) / Gruetzmacher, D. A. (Autor:in) / Gassot, P. (Autor:in) / Portal, J. C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 102 ; 242-246

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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