Selective area growth at multi-atomic-height steps arranged on GaAs (111) A vicinal surfaces by atomic layer epitaxy: Fid-Bau Portal

Selective area growth at multi-atomic-height steps arranged on GaAs (111) A vicinal surfaces by atomic layer epitaxy

Lee, J.-S. / Isshiki, H. / Sugano, T. / Aoyagi, Y.

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Titel:

Selective area growth at multi-atomic-height steps arranged on GaAs (111) A vicinal surfaces by atomic layer epitaxy

Beteiligte:

Lee, J.-S. (Autor:in) / Isshiki, H. (Autor:in) / Sugano, T. (Autor:in) / Aoyagi, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 112 ; 132-137

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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