Diffusivity and surface transition rate of positrons in crystalline silicon as a function of dopant concentration: Fid-Bau Portal

Diffusivity and surface transition rate of positrons in crystalline silicon as a function of dopant concentration

Bauer-Kugelmann, W. / Duffy, J. A. / Stoermer, J. / Koegel, G. / Triftshaeuser, W.

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Titel:

Diffusivity and surface transition rate of positrons in crystalline silicon as a function of dopant concentration

Beteiligte:

Bauer-Kugelmann, W. (Autor:in) / Duffy, J. A. (Autor:in) / Stoermer, J. (Autor:in) / Koegel, G. (Autor:in) / Triftshaeuser, W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 116 ; 231-235

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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