Scanning capacitance microscopy applied to two-dimensional dopant profiling of semiconductors: Fid-Bau Portal

Scanning capacitance microscopy applied to two-dimensional dopant profiling of semiconductors

Kopanski, J. J. / Marchiando, J. F. / Lowney, J. R.

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Titel:

Scanning capacitance microscopy applied to two-dimensional dopant profiling of semiconductors

Beteiligte:

Kopanski, J. J. (Autor:in) / Marchiando, J. F. (Autor:in) / Lowney, J. R. (Autor:in) / Jantz, W. / Baeumler, M.

Erschienen in:

Solid-State Materials for Advanced Technology ; 46-51

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 44

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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