Quantitative High-Resolution Two-Dimensional Profiling of SiC by Scanning Capacitance Microscopy: Fid-Bau Portal

Quantitative High-Resolution Two-Dimensional Profiling of SiC by Scanning Capacitance Microscopy

Raineri, V. / Giannazzo, F. / Calcagno, L. / Musumeci, P. / Roccaforte, F. / La Via, F.

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Titel:

Quantitative High-Resolution Two-Dimensional Profiling of SiC by Scanning Capacitance Microscopy

Beteiligte:

Raineri, V. (Autor:in) / Giannazzo, F. (Autor:in) / Calcagno, L. (Autor:in) / Musumeci, P. (Autor:in) / Roccaforte, F. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 655-658

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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