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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Defect mapping in 4H-SiC wafers

    Beteiligte:

    Yakimova, R. (Autor:in) / Yakimov, T. (Autor:in) / Hitova, L. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Camassel, J. / Fricke, K. / Krozer, V. / Robert, J. L.

    Erschienen in:

    High Temperature Electronics: Materials, Devices and Applications ; 287-290

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 46

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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