Defect observation in SiC wafers by room-temperature photoluminescence mapping: Fid-Bau Portal

Defect observation in SiC wafers by room-temperature photoluminescence mapping

Higashi, E. / Tajima, M. / Hoshino, N. / Hayashi, T. / Kinoshita, H. / Shiomi, H. / Matsumoto, S.

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Titel:

Defect observation in SiC wafers by room-temperature photoluminescence mapping

Beteiligte:

Higashi, E. (Autor:in) / Tajima, M. (Autor:in) / Hoshino, N. (Autor:in) / Hayashi, T. (Autor:in) / Kinoshita, H. (Autor:in) / Shiomi, H. (Autor:in) / Matsumoto, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 53-57

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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