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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Defect Study of Heavily n-Type Doped III-V Compound Semiconductors by Means of Pulsed Positron Beam Measurement

    Beteiligte:

    Cho, Y. K. (Autor:in) / Leem, J. Y. (Autor:in) / Lee, C. (Autor:in) / Noh, S. K. (Autor:in) / Suzuki, R. (Autor:in) / Odaira, T. (Autor:in) / Mikado, T. (Autor:in) / Jean, Y. C. / Eldrup, M. / Schrader, D. M.

    Erschienen in:

    Positron Annihilation ICPA-11 ; 701-703

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 255/257

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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