Electrical properties of CoSi~2 precipitates in cobalt-implanted silicon: a conducting atomic force microscopy study: Fid-Bau Portal

Electrical properties of CoSi~2 precipitates in cobalt-implanted silicon: a conducting atomic force microscopy study

Mao, J. M. / Xu, J. B. / Peng, Q. C. / Wong, S. P. / Wilson, I. H.

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Titel:

Electrical properties of CoSi~2 precipitates in cobalt-implanted silicon: a conducting atomic force microscopy study

Beteiligte:

Mao, J. M. (Autor:in) / Xu, J. B. (Autor:in) / Peng, Q. C. (Autor:in) / Wong, S. P. (Autor:in) / Wilson, I. H. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 17 ; 219-222

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0261-8028

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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