Characterization of polycrystalline silicon carbide films grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition on polycrystalline silicon: Fid-Bau Portal

Characterization of polycrystalline silicon carbide films grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition on polycrystalline silicon

Zorman, C. A. / Roy, S. / Wu, C.-H. / Fleischman, A. J. / Mehregany, M.

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Titel:

Characterization of polycrystalline silicon carbide films grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition on polycrystalline silicon

Beteiligte:

Zorman, C. A. (Autor:in) / Roy, S. (Autor:in) / Wu, C.-H. (Autor:in) / Fleischman, A. J. (Autor:in) / Mehregany, M. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 13 ; 406-412

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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