Effects of inductively coupled plasma conditions on the etch properties of GaN and ohmic contact formations: Fid-Bau Portal

Effects of inductively coupled plasma conditions on the etch properties of GaN and ohmic contact formations

Kim, H.-S. / Lee, Y.-H. / Yeom, G.-Y. / Lee, J.-W. / Kim, T.-I.

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Titel:

Effects of inductively coupled plasma conditions on the etch properties of GaN and ohmic contact formations

Beteiligte:

Kim, H.-S. (Autor:in) / Lee, Y.-H. (Autor:in) / Yeom, G.-Y. (Autor:in) / Lee, J.-W. (Autor:in) / Kim, T.-I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 50 ; 82-87

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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