Effective Techniques for Reduction of Silicon Impurity in Chloride Vapor Phase Epitaxial Growth of GaInAs: Fid-Bau Portal

Effective Techniques for Reduction of Silicon Impurity in Chloride Vapor Phase Epitaxial Growth of GaInAs

Pal, R. / Dhaul, A. / Agarwal, S. K. / Pal, D. / Bose, D. N.

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Titel:

Effective Techniques for Reduction of Silicon Impurity in Chloride Vapor Phase Epitaxial Growth of GaInAs

Beteiligte:

Pal, R. (Autor:in) / Dhaul, A. (Autor:in) / Agarwal, S. K. (Autor:in) / Pal, D. (Autor:in) / Bose, D. N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 33 ; 261-268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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