Gas phase equilibrium limitations on the vapor-liquid-solid growth of epitaxial silicon nanowires using SiCl~4: Fid-Bau Portal

Gas phase equilibrium limitations on the vapor-liquid-solid growth of epitaxial silicon nanowires using SiCl~4

Eichfeld, S.M. / Shen, H. / Eichfeld, C.M. / Mohney, S.E. / Dickey, E.C. / Redwing, J.M.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Gas phase equilibrium limitations on the vapor-liquid-solid growth of epitaxial silicon nanowires using SiCl~4

Eichfeld, S.M. / Shen, H. / Eichfeld, C.M. / Mohney, S.E. / Dickey, E.C. / Redwing, J.M.

Gas phase equilibrium limitations on the vapor-liquid-solid growth of epitaxial silicon nanowires using SiCl~4

Eichfeld, S.M. / Shen, H. / Eichfeld, C.M. / Mohney, S.E. / Dickey, E.C. / Redwing, J.M.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Gas phase equilibrium limitations on the vapor-liquid-solid growth of epitaxial silicon nanowires using SiCl~4

Beteiligte:

Eichfeld, S.M. (Autor:in) / Shen, H. (Autor:in) / Eichfeld, C.M. (Autor:in) / Mohney, S.E. (Autor:in) / Dickey, E.C. (Autor:in) / Redwing, J.M. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 26 ; 2207-2214

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Wang, N. / Zhang, Y. / Zhu, J. | British Library Online Contents | 2001

Vapor-Liquid-Solid Growth of Silicon-Germanium Nanowires

Lew, K.-K. / Pan, L. / Dickey, E. C. et al. | British Library Online Contents | 2003

Vapor-Liquid-Solid Growth of Silicon-Based Nanowires for High Sensitive Sensor

Sone, H. / Suda, Y. / Kubota, D. et al. | British Library Online Contents | 2013

Use of SiCl~4 as Silicon Precursor for Low-Temperature Halo-Carbon Epitaxial Growth of 4H-SiC

Kotamraju, S.P. / Krishnan, B. / Melnychuk, G. et al. | British Library Online Contents | 2010

Epitaxial Growth of 4H-SiC with High Growth Rate Using CH~3Cl and SiCl~4 Chlorinated Growth Precursors

Kotamraju, S.P. / Krishnan, B. / Koshka, Y. | British Library Online Contents | 2010

Nach oben