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Stoichiometric Disturbances in Ion Implanted Silicon Carbide

Morvan, E. / Monserrat, J. / Rebollo, J. / Flores, D. / Jorda, X. / Locatelli, M. L. / Ottaviani, L.

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Titel:

Stoichiometric Disturbances in Ion Implanted Silicon Carbide

Beteiligte:

Morvan, E. (Autor:in) / Monserrat, J. (Autor:in) / Rebollo, J. (Autor:in) / Flores, D. (Autor:in) / Jorda, X. (Autor:in) / Locatelli, M. L. (Autor:in) / Ottaviani, L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 737-740

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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