Effect of Post-Metal Annealing on the Quality of Thermally Grown Silicon Dioxide on 6H- and 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Effect of Post-Metal Annealing on the Quality of Thermally Grown Silicon Dioxide on 6H- and 4H-SiC

Campi, J. / Shi, Y. / Luo, Y. / Yan, F. / Lee, Y. K. / Zhao, J. H.

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Titel:

Effect of Post-Metal Annealing on the Quality of Thermally Grown Silicon Dioxide on 6H- and 4H-SiC

Beteiligte:

Campi, J. (Autor:in) / Shi, Y. (Autor:in) / Luo, Y. (Autor:in) / Yan, F. (Autor:in) / Lee, Y. K. (Autor:in) / Zhao, J. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 849-852

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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