Deep Level Defect Study of Ion Implanted (Ar, Mg, Cr) n-Type 6H-SiC by Deep Level Transient Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Deep Level Defect Study of Ion Implanted (Ar, Mg, Cr) n-Type 6H-SiC by Deep Level Transient Spectroscopy

Scott, M. B. / Scofield, J. D. / Yeo, Y. K. / Hengehold, R. L.

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Titel:

Deep Level Defect Study of Ion Implanted (Ar, Mg, Cr) n-Type 6H-SiC by Deep Level Transient Spectroscopy

Beteiligte:

Scott, M. B. (Autor:in) / Scofield, J. D. (Autor:in) / Yeo, Y. K. (Autor:in) / Hengehold, R. L. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 549-552

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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