Isothermal deep-level transient spectroscopy study of metastable defects in hydrogen-implanted n-type silicon: Fid-Bau Portal

Isothermal deep-level transient spectroscopy study of metastable defects in hydrogen-implanted n-type silicon

Tokuda, Y. / Nakamura, W. / Terashima, H.

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Titel:

Isothermal deep-level transient spectroscopy study of metastable defects in hydrogen-implanted n-type silicon

Beteiligte:

Tokuda, Y. (Autor:in) / Nakamura, W. (Autor:in) / Terashima, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 288-291

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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