Formation of ultra shallow donors in silicon by long-term-annealing at 470 �C: Fid-Bau Portal

Formation of ultra shallow donors in silicon by long-term-annealing at 470 C

Aaberg, D. / Hallberg, T. / Svensson, B. G. / Lindstroem, J. L. / Kleverman, M.

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Titel:

Formation of ultra shallow donors in silicon by long-term-annealing at 470 C

Beteiligte:

Aaberg, D. (Autor:in) / Hallberg, T. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in) / Lindstroem, J. L. (Autor:in) / Kleverman, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 385-390

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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