Formation of ultra-shallow p+/n junctions in silicon-on-insulator (SOI) substrate using laser annealing: Fid-Bau Portal

Formation of ultra-shallow p+/n junctions in silicon-on-insulator (SOI) substrate using laser annealing

Ong, K. K. / Pey, K. L. / Lee, P. S. / Wee, A. T. / Chong, Y. F. / Yeo, K. L. / Wang, X. C.

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Titel:

Formation of ultra-shallow p+/n junctions in silicon-on-insulator (SOI) substrate using laser annealing

Beteiligte:

Ong, K. K. (Autor:in) / Pey, K. L. (Autor:in) / Lee, P. S. (Autor:in) / Wee, A. T. (Autor:in) / Chong, Y. F. (Autor:in) / Yeo, K. L. (Autor:in) / Wang, X. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 114/115 ; 25-28

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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