Non-melt laser annealing of Plasma Implanted Boron for ultra shallow junctions in Silicon: Fid-Bau Portal

Non-melt laser annealing of Plasma Implanted Boron for ultra shallow junctions in Silicon

Florakis, A. / Misra, N. / Grigoropoulos, C. / Giannakopoulos, K. / Halimaoui, A. / Tsoukalas, D.

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Titel:

Non-melt laser annealing of Plasma Implanted Boron for ultra shallow junctions in Silicon

Beteiligte:

Florakis, A. (Autor:in) / Misra, N. (Autor:in) / Grigoropoulos, C. (Autor:in) / Giannakopoulos, K. (Autor:in) / Halimaoui, A. (Autor:in) / Tsoukalas, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 154-155 ; 39-42

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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