Mobility (10^6 cm^2 V^-^1 s^-^1) of 2DEGs, 30 nm from ex situ patterned GaAs regrowth interfaces: Fid-Bau Portal

Mobility (10^6 cm^2 V^-^1 s^-^1) of 2DEGs, 30 nm from ex situ patterned GaAs regrowth interfaces

Burke, T. M. / Ritchie, D. A. / Linfield, E. H. / O'Sullivan, M. P. / Burroughes, J. H. / Leadbeater, M. L. / Holmes, S. N. / Norman, C. E. / Shields, A. J. / Pepper, M.

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Burke, T. M. / Ritchie, D. A. / Linfield, E. H. / O'Sullivan, M. P. / Burroughes, J. H. / Leadbeater, M. L. / Holmes, S. N. / Norman, C. E. / Shields, A. J. / Pepper, M.

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Titel:

Mobility (10^6 cm^2 V^-^1 s^-^1) of 2DEGs, 30 nm from ex situ patterned GaAs regrowth interfaces

Beteiligte:

Burke, T. M. (Autor:in) / Ritchie, D. A. (Autor:in) / Linfield, E. H. (Autor:in) / O'Sullivan, M. P. (Autor:in) / Burroughes, J. H. (Autor:in) / Leadbeater, M. L. (Autor:in) / Holmes, S. N. (Autor:in) / Norman, C. E. (Autor:in) / Shields, A. J. (Autor:in) / Pepper, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 51 ; 202-206

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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