Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Novel InP metal-insulator-semiconductor structure having an ultrathin silicon interface control layer

    Neue Suche nach: Takahashi, H.
    Neue Suche nach: Hashizume, T.
    Neue Suche nach: Hasegawa, H.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Novel InP metal-insulator-semiconductor structure having an ultrathin silicon interface control layer

    Neue Suche nach: Takahashi, H.
    Neue Suche nach: Hashizume, T.
    Neue Suche nach: Hasegawa, H.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Novel InP metal-insulator-semiconductor structure having an ultrathin silicon interface control layer

    Neue Suche nach: Takahashi, H.
    Neue Suche nach: Hashizume, T.
    Neue Suche nach: Hasegawa, H.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Novel InP metal-insulator-semiconductor structure having an ultrathin silicon interface control layer

    Beteiligte:

    Takahashi, H. (Autor:in) / Hashizume, T. (Autor:in) / Hasegawa, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 123/124 ; 615-618

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Gated photoluminescence study of oxide-free InP MIS structure having an ultrathin silicon interface control layer

    Fu, Z. / Kasai, S. / Hasegawa, H. | British Library Online Contents | 2002

    Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer

    Ishikawa, Y. / Kumezawa, M. / Nuryadi, R. et al. | British Library Online Contents | 2002

    Optimization of Si interface control layer thickness for high-k GaAs metal-insulator-semiconductor structures

    Akazawa, M. / Hasegawa, H. | British Library Online Contents | 2009

    Electric Field Control of the Metal Insulator Transition in Ultrathin NdNiO3 Films

    Scherwitzl, R. / Zubko, P. / Lezama, I. G. et al. | British Library Online Contents | 2010

    Layered insulator having air-layer

    Europäisches Patentamt | 2022

    Freier Zugriff
    Nach oben