Optimization of Si interface control layer thickness for high-k GaAs metal-insulator-semiconductor structures: Fid-Bau Portal

Optimization of Si interface control layer thickness for high-k GaAs metal-insulator-semiconductor structures

Akazawa, M. / Hasegawa, H.

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Titel:

Optimization of Si interface control layer thickness for high-k GaAs metal-insulator-semiconductor structures

Beteiligte:

Akazawa, M. (Autor:in) / Hasegawa, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 165 ; 122-125

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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