Microstructural investigation of low temperature chemical vapor deposited 3C-SiC/Si thin films using single-source precursors: Fid-Bau Portal

Microstructural investigation of low temperature chemical vapor deposited 3C-SiC/Si thin films using single-source precursors

Lee, B.-T. / Kim, D.-K. / Moon, C.-K. / Kim, J. K. / Seo, Y. H. / Nahm, K. S. / Lee, H. J. / Lee, K.-W. / Yu, K.-S. / Kim, Y.

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Titel:

Microstructural investigation of low temperature chemical vapor deposited 3C-SiC/Si thin films using single-source precursors

Beteiligte:

Lee, B.-T. (Autor:in) / Kim, D.-K. (Autor:in) / Moon, C.-K. (Autor:in) / Kim, J. K. (Autor:in) / Seo, Y. H. (Autor:in) / Nahm, K. S. (Autor:in) / Lee, H. J. (Autor:in) / Lee, K.-W. (Autor:in) / Yu, K.-S. (Autor:in) / Kim, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 14 ; 24-28

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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