Formation of contacts to shallow junctions using titanium silicide with diffusion barriers: Fid-Bau Portal

Formation of contacts to shallow junctions using titanium silicide with diffusion barriers

Zagozdzon-Wosik, W. / Rusakova, I. / Gooty, S. R. / Marton, D. / Li, J. / Zhang, Z. H. / Lin, C.-H. / Bleiler, R. J. / Zhang, D. X.

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Zagozdzon-Wosik, W. / Rusakova, I. / Gooty, S. R. / Marton, D. / Li, J. / Zhang, Z. H. / Lin, C.-H. / Bleiler, R. J. / Zhang, D. X.

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Titel:

Formation of contacts to shallow junctions using titanium silicide with diffusion barriers

Beteiligte:

Zagozdzon-Wosik, W. (Autor:in) / Rusakova, I. (Autor:in) / Gooty, S. R. (Autor:in) / Marton, D. (Autor:in) / Li, J. (Autor:in) / Zhang, Z. H. (Autor:in) / Lin, C.-H. (Autor:in) / Bleiler, R. J. (Autor:in) / Zhang, D. X. (Autor:in) / Slaoui, A.

Erschienen in:

Papers presented at the European Materials Research Society 1998 Meeting. Symposium I: Rapid Thermal Processing ; 243-248

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 1

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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