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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Epitaxial growth of SiGe layers for BiCMOS applications

    Beteiligte:

    Regolini, J. L. (Autor:in) / Pejnefors, J. (Autor:in) / Baffert, T. (Autor:in) / Morin, C. (Autor:in) / Ribot, P. (Autor:in) / Jouan, S. (Autor:in) / Marty, M. (Autor:in) / Chantre, A. (Autor:in) / Slaoui, A. / Singh, R. K.

    Erschienen in:

    Papers presented at the European Materials Research Society 1998 Meeting. Symposium I: Rapid Thermal Processing ; 317-324

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 1

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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