Selective epitaxial growth of SiGe for strained Si transistors: Fid-Bau Portal

Selective epitaxial growth of SiGe for strained Si transistors

Ning, X. J. / Gao, D. / Bonfanti, P. / Wu, H. / Guo, J. / Chen, J. / Shen, C. C. / Chen, I. C. / Cherng, G.

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Titel:

Selective epitaxial growth of SiGe for strained Si transistors

Beteiligte:

Ning, X. J. (Autor:in) / Gao, D. (Autor:in) / Bonfanti, P. (Autor:in) / Wu, H. (Autor:in) / Guo, J. (Autor:in) / Chen, J. (Autor:in) / Shen, C. C. (Autor:in) / Chen, I. C. (Autor:in) / Cherng, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 134 ; 165-171

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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