Low-temperature chemical vapor deposition of tantalum nitride from tantalum pentabromide for integrated circuitry copper metallization applications: Fid-Bau Portal

Low-temperature chemical vapor deposition of tantalum nitride from tantalum pentabromide for integrated circuitry copper metallization applications

Chen, X. / Peterson, G. G. / Goldberg, C. / Nuesca, G. / Frisch, H. L. / Kaloyeros, A. E. / Arkles, B. / Sullivan, J.

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Titel:

Low-temperature chemical vapor deposition of tantalum nitride from tantalum pentabromide for integrated circuitry copper metallization applications

Beteiligte:

Chen, X. (Autor:in) / Peterson, G. G. (Autor:in) / Goldberg, C. (Autor:in) / Nuesca, G. (Autor:in) / Frisch, H. L. (Autor:in) / Kaloyeros, A. E. (Autor:in) / Arkles, B. (Autor:in) / Sullivan, J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 14 ; 2043-2052

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

10 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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