High quality ELO-GaN layers on GaN/Al"2O"3 patterned substrates by halide vapour phase epitaxy: Fid-Bau Portal

High quality ELO-GaN layers on GaN/Al"2O"3 patterned substrates by halide vapour phase epitaxy

Nataf, G. / Beaumont, B. / Bouille, A. / Vennegues, P. / Haffouz, S. / Vaille, M. / Gibart, P.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

High quality ELO-GaN layers on GaN/Al"2O"3 patterned substrates by halide vapour phase epitaxy

Nataf, G. / Beaumont, B. / Bouille, A. / Vennegues, P. / Haffouz, S. / Vaille, M. / Gibart, P.

High quality ELO-GaN layers on GaN/Al"2O"3 patterned substrates by halide vapour phase epitaxy

Nataf, G. / Beaumont, B. / Bouille, A. / Vennegues, P. / Haffouz, S. / Vaille, M. / Gibart, P.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

High quality ELO-GaN layers on GaN/Al"2O"3 patterned substrates by halide vapour phase epitaxy

Beteiligte:

Nataf, G. (Autor:in) / Beaumont, B. (Autor:in) / Bouille, A. (Autor:in) / Vennegues, P. (Autor:in) / Haffouz, S. (Autor:in) / Vaille, M. (Autor:in) / Gibart, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 112 - 116

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Nikolaev, V.I. / Pechnikov, A.I. / Stepanov, S.I. et al. | British Library Online Contents | 2016

Hydride vapour phase epitaxy growth and characterisation of GaN layers

Fornari, R. / Bosi, M. / Armani, N. et al. | British Library Online Contents | 2001

InGaAs layers of high quality grown on patterned GaAs substrates with trenches

Iida, S. / Hayakawa, Y. / Koyama, T. et al. | British Library Online Contents | 1999

Growth of gallium phosphide layers by chemical beam epitaxy on oxide patterned (001)silicon substrates

Narayanan, V. / Sukidi, N. / Hu, C. et al. | British Library Online Contents | 1998

Photoluminescence investigation of superlattice ordering in organometallic vapour phase epitaxy grown InGaP layers

Longo, M. / Parisini, A. / Tarricone, L. et al. | British Library Online Contents | 2001

Nach oben