Epitaxial lateral overgrowth of GaN structures: spatially resolved characterization by cathodoluminescence microscopy and micro-Raman spectroscopy: Fid-Bau Portal

Epitaxial lateral overgrowth of GaN structures: spatially resolved characterization by cathodoluminescence microscopy and micro-Raman spectroscopy

Bertram, F. / Riemann, T. / Christen, J. / Kaschner, A. / Hoffmann, A. / Hiramatsu, K. / Shibata, T. / Sawaki, N.

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Titel:

Epitaxial lateral overgrowth of GaN structures: spatially resolved characterization by cathodoluminescence microscopy and micro-Raman spectroscopy

Beteiligte:

Bertram, F. (Autor:in) / Riemann, T. (Autor:in) / Christen, J. (Autor:in) / Kaschner, A. (Autor:in) / Hoffmann, A. (Autor:in) / Hiramatsu, K. (Autor:in) / Shibata, T. (Autor:in) / Sawaki, N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 117 - 121

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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