Characterization of optical induced defect-band-transitions in MBE grown galliumnitride by optical admittance spectroscopy: Fid-Bau Portal

Characterization of optical induced defect-band-transitions in MBE grown galliumnitride by optical admittance spectroscopy

Krtschil, A. / Lisker, M. / Witte, H. / Christen, J. / Birkle, U. / Einfeldt, S. / Hommel, D.

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Titel:

Characterization of optical induced defect-band-transitions in MBE grown galliumnitride by optical admittance spectroscopy

Beteiligte:

Krtschil, A. (Autor:in) / Lisker, M. (Autor:in) / Witte, H. (Autor:in) / Christen, J. (Autor:in) / Birkle, U. (Autor:in) / Einfeldt, S. (Autor:in) / Hommel, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 226 - 229

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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