Transmission electron microscopy observation of CMOS devices of titanium self-aligned silicide technology with nitrogen (N^+) implantation process: Fid-Bau Portal

Transmission electron microscopy observation of CMOS devices of titanium self-aligned silicide technology with nitrogen (N^+) implantation process

Jia, Y. M. / Lim, C. W. / Bourdillon, A. J. / Boothroyd, C.

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Titel:

Transmission electron microscopy observation of CMOS devices of titanium self-aligned silicide technology with nitrogen (N^+) implantation process

Beteiligte:

Jia, Y. M. (Autor:in) / Lim, C. W. (Autor:in) / Bourdillon, A. J. (Autor:in) / Boothroyd, C. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 18 ; 385-388

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0261-8028

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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