Characterization of SiO"2 layers thermally grown on 4H-SiC using high energy photoelectron spectroscopy: Fid-Bau Portal

Characterization of SiO"2 layers thermally grown on 4H-SiC using high energy photoelectron spectroscopy

Johansson, L.I. / Glans, P.-A. / Wahab, Q. / Grehk, T.M. / Eickhoff, T. / Drube, W.

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Titel:

Characterization of SiO"2 layers thermally grown on 4H-SiC using high energy photoelectron spectroscopy

Beteiligte:

Johansson, L.I. (Autor:in) / Glans, P.-A. (Autor:in) / Wahab, Q. (Autor:in) / Grehk, T.M. (Autor:in) / Eickhoff, T. (Autor:in) / Drube, W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 150 ; 137-142

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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