Characterisation of defects and piezoelectric fields in InGaN/GaN layers by transmission electron microscopy: Fid-Bau Portal

Characterisation of defects and piezoelectric fields in InGaN/GaN layers by transmission electron microscopy

Cherns, D. / Barnard, J. / Mokhtari, H.

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Titel:

Characterisation of defects and piezoelectric fields in InGaN/GaN layers by transmission electron microscopy

Beteiligte:

Cherns, D. (Autor:in) / Barnard, J. (Autor:in) / Mokhtari, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 66 ; 33 - 38

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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