High-resolution DLTS studies of vacancy-related defects in irradiated and in ion-implanted n-type silicon: Fid-Bau Portal

High-resolution DLTS studies of vacancy-related defects in irradiated and in ion-implanted n-type silicon

Evans-Freeman, J. H. / Peaker, A. R. / Hawkins, I. D. / Kan, P. Y. / Terry, J. / Rubaldo, L. / Ahmed, M. / Watts, S. / Dobaczewski, L.

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Evans-Freeman, J. H. / Peaker, A. R. / Hawkins, I. D. / Kan, P. Y. / Terry, J. / Rubaldo, L. / Ahmed, M. / Watts, S. / Dobaczewski, L.

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Titel:

High-resolution DLTS studies of vacancy-related defects in irradiated and in ion-implanted n-type silicon

Beteiligte:

Evans-Freeman, J. H. (Autor:in) / Peaker, A. R. (Autor:in) / Hawkins, I. D. (Autor:in) / Kan, P. Y. (Autor:in) / Terry, J. (Autor:in) / Rubaldo, L. (Autor:in) / Ahmed, M. (Autor:in) / Watts, S. (Autor:in) / Dobaczewski, L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 237-241

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

Dobaczewski, L. / Kaminski, P. / Kozlowski, R. et al. | British Library Online Contents | 1995

Peaker, A.R. / Evans-Freeman, J.H. / Kan, P.Y.Y. et al. | British Library Online Contents | 2000

High resolution DLTS of hydrogen reactions with defects in erbium-implanted silicon

Kan, P. Y. / Abd El-Rahman, K. F. / Abdelgader, N. et al. | British Library Online Contents | 2001

Vacancy-Type Defects in Proton-Irradiated InAs

Puff, W. / Balogh, A. G. | British Library Online Contents | 2001

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Puff, W. / Mascher, P. / Balogh, A. G. et al. | British Library Online Contents | 1997

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