Precise chemical analysis development for silicon wafers after rapid thermal processing: Fid-Bau Portal

Precise chemical analysis development for silicon wafers after rapid thermal processing

Briantseva, T. A. / Lebedeva, Z. M. / Lioubtchenko, D. V. / Markov, I. A. / Nolan, M. / Perova, T. S. / Moore, R. A.

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Precise chemical analysis development for silicon wafers after rapid thermal processing

Briantseva, T. A. / Lebedeva, Z. M. / Lioubtchenko, D. V. / Markov, I. A. / Nolan, M. / Perova, T. S. / Moore, R. A.

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Titel:

Precise chemical analysis development for silicon wafers after rapid thermal processing

Beteiligte:

Briantseva, T. A. (Autor:in) / Lebedeva, Z. M. (Autor:in) / Lioubtchenko, D. V. (Autor:in) / Markov, I. A. (Autor:in) / Nolan, M. (Autor:in) / Perova, T. S. (Autor:in) / Moore, R. A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 156 ; 21-25

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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